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シラバスコード S-172R16-01 ナンバリング Eb304Sgh
科目名 半導体工学2
科目名英文 Engineering of Semiconductors 2
学部 工学部 授業形態 講義
学科・科目区分 電気電子工学科 教職科目対応 工業(高)
科目分野 専門発展 実践的教育対応  ―
配当年次 3年次 学期区分 後学期
必選区分 選択 単位数 2 単位
担当教員 松永高治
アクティブラーニング 課題解決型学習
授業の目的と進め方
【授業の目的】
電化製品、情報通信機器、電力機器の制御など、半導体は私たちの生活に不可欠のものとなっている。本講義ではエレクトロニクスエンジニアにとっての基礎学問である半導体物性及び半導体デバイスについて理解を深め、実社会への適用例を学ぶことで半導体に対する関心を高めることを目的とする。

【授業の進め方】
ショットキー特性、MOS構造、電界効果トランジスタ(FET)、MOSFET、集積回路(LSI)、デバイスプロセス、高周波デバイス、パワーデバイスを学習する。
講義は物理的な視点から理解できるよう図解しながら行う。講義後に適宜課題を課すので提出すること。講義資料はMoodle上に掲載するので確認すること。
学習を通して固有指標に加え、以下の教育指標を伸ばすことも目指す。
a. 受けとる力(情報を受け取って理解・判断し、的確に対処することができる。)
b. 深める力(課題を考察し、解決の手段とそれに必要な知識・技術を見出すことができる。)
課題(試験やレポート等)に対するフィードバックの方法
課題はプリントまたはMoodleにて配布し、次回の授業時にフィードバック解説を実施する。
履修の条件
半導体工学1の単位を修得していることが望ましい
教科書
「例題で学ぶ半導体デバイス入門」 樋口英世著 森北出版 ISBN978-4-627-77411-7
参考書
入門書から専門書まで多くの関連書籍があるので授業の際に紹介する。
到達目標
ショットキー特性、MOS構造の物理を理解する
電界効果トランジスタの動作を理解する
集積回路について独自の見解を説明できる
指標と評価割合
  評価方法
受講態度 授業中の
活動
予習・復習 成果物・
発表
試験 学習の
振り返り
共通指標 a:受け取る力
b:深める力
c:進める力
d:高める力
e:伝える力
f:つなげる力
固有指標 g:知識・理解 20 30 50
h:技術・活用 20 30 50
全体の評価割合 20 0 30 0 50 0
授業計画
回数 学修内容 予習・復習内容 時間
ガイダンス:授業の概要と進め方
半導体工学1の復習
予習1 Moodleチェック 1
復習1 半導体工学1の復習 3
金属とn型半導体の接触
予習2 教科書テキスト(7章) 1
復習2 教科書演習問題(7章) 3
金属とp型半導体の接触
ショットキーダイオード
予習3 教科書テキスト(7章) 1
復習3 教科書演習問題(7章) 3
MOS構造の性質 予習4 教科書テキスト(7章) 1
復習4 教科書演習問題(7章) 3
MOS構造の反転しきい値電圧 予習5 教科書テキスト(7章) 1
復習5 教科書演習問題(7章) 3
電界効果トランジスタの構造
接合型FETの種類
予習6 教科書テキスト(8章) 1
復習6 教科書演習問題(8章) 3
接合型FETの電流電圧特性 予習7 教科書テキスト(8章) 1
復習7 教科書演習問題(8章) 3
前半の振り返り:確認試験 予習8 事前課題を配布する 1
復習8 事後課題を配布する 3
MOSFETの構造と電流電圧特性 予習9 教科書テキスト(8章) 1
復習9 教科書演習問題(8章) 3
10 MOSFETの小信号等価回路及び電圧増幅 予習10 教科書テキスト(8章) 1
復習10 教科書演習問題(8章) 3
11 集積回路(LSI)概論 予習11 教科書テキスト(9章) 1
復習11 教科書演習問題(9章) 3
12 アナログICとデジタルICの動作 予習12 教科書テキスト(9章) 1
復習12 教科書演習問題(9章) 3
13 高周波デバイス及びパワーデバイスと応用 予習13 別途資料を配布する 1
復習13 別途資料を配布する 3
14 後半の振り返り 予習14 事前課題を配布する 1
復習14 事後課題を配布する 3
15 総まとめ:期末試験 復習15 振り返り 2
16 試験の解説及び学修の評価 復習16 振り返り 2
主担当教員のオフィスアワー
月曜日 5コマ 5407室

メール matsunaga@elec.shonan-it.ac.jp
随時 Moodleメッセージ、メールにて質問を受けつけます。
メールには学籍番号と名前を明記してください。

備考
国家資格(電気主任技術者)関連科目
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